RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 3, страницы 329–335 (Mi phts7232)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Прекурсорная самоорганизация при СВЧ вакуумно-плазменном осаждении субмонослойных углеродных покрытий на кристаллах кремния (100)

Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Методами сканирующих атомно-силовой и электронной микроскопии исследована кинетика самоорганизации наноразмерных доменов при осаждении субмонослойных углеродных покрытий на кремнии (100) в СВЧ плазме паров этанола низкого давления. Предложены модельные механизмы формирования кремний-углеродных доменов, которые основаны на использовании модели адсорбции Ленгмюра из прекурсорного состояния и современных представлений о модификации равновесной структуры верхнего атомного слоя кристаллических полупроводников под влиянием внешних воздействий.

Поступила в редакцию: 29.04.2014
Принята в печать: 17.08.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:3, 319–324

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026