Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы при комнатной температуре

А. О. Захарьин^a, А. В. Бобылев^ab, С. В. Егоров^ac, А. В. Андрианов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный горный университет

Аннотация: Обнаружено и исследовано терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы (Si:B и Ge:Ga) при комнатной температуре излучением полупродникового лазера видимого диапазона (660 нм). Установлено, что интенсивность излучения значительно возрастает при возрастании температуры кристалла выше комнатной, а спектр излучения при этом смещается в сторону высоких частот. Спектры терагерцового излучения германия и кремния мало различаются между собой. Зависимость интенсивности излучения от интенсивности накачки близка к линейной. Установленные закономерности позволяют связать наблюдаемое терагерцовое излучение с эффектом разогрева кристалла в области поглощения излучения накачки.

Поступила в редакцию: 23.07.2014
Принята в печать: 25.08.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:3, 305–308

Реферативные базы данных:

•