Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Анализ релаксации фототока полуизолирующего GaAs в области температур 150–200 K

А. П. Одринский

Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск

Аннотация: Рассмотрены особенности регистрации вклада характерного собственного дефекта полуизолирующего GaAs в релаксацию фототока. Представлен подробный анализ кинетики релаксации на основе аппроксимации суммой экспоненциальных составляющих. Результаты сравниваются с данными фотоэлектрической релаксационной спектроскопии.

Поступила в редакцию: 05.02.2014
Принята в печать: 03.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:3, 285–289

Реферативные базы данных:

•