Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF$_2$/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов

М. И. Векслер^a, Ю. Ю. Илларионов^ab, С. Э. Тягинов^ab, T. Grasser<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna 1040, Austria

Аннотация: Предложен вариант упрощения модели туннельного переноса электронов через тонкий слой кристаллического фторида кальция в кремний (111) для последующей имплементации в симуляторы полупроводниковых приборов. Состоятельность подхода доказана сопоставлением данных моделирования по упрощенным формулам с точными расчетами и экспериментальными данными. Подход применим для вычисления туннельных токов в структурах с любыми кристаллическими диэлектриками на Si (111).

Поступила в редакцию: 20.05.2014
Принята в печать: 20.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:2, 259–263

Реферативные базы данных:

•