Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Плазмонное усиление люминесценции желто-красной области спектра в нанокомпозитах InGaN/Au

К. Г. Беляев, А. А. Усикова, В. Н. Жмерик, П. С. Копьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, П. Н. Брунков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Существенное (до 7 раз) увеличение внутренней квантовой эффективности люминесценции получено при комнатной температуре в гибридных структурах полупроводник-металл-диэлектрик, изготовленных в результате последовательного напыления золота и Si$_3$N$_4$ поверх массива наноблоков InGaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемый эффект может быть объяснен резонансным взаимодействием экситонов, локализованных в наноблоках InGaN, с локализованными модами поверхностных плазмонов в интрузиях золота, окруженных InGaN и Si$_3$N$_4$.

Поступила в редакцию: 12.06.2014
Принята в печать: 08.07.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:2, 247–253

Реферативные базы данных:

•