Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, П. П. Мальцев, “Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2,страницы 241

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs

Г. Б. Галиев^a, И. С. Васильевский^b, Е. А. Климов^a, А. Н. Клочков^a, Д. В. Лаврухин^a, С. С. Пушкарёв^a, П. П. Мальцев^a

^a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Исследованы особенности фотолюминесценции и электрофизические свойства легированных наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащей тонкую вставку InAs толщиной от 1.7 до 3.0 нм в центре. Установлено, что положение максимумов на спектрах фотолюминесценции в области энергий фотонов 0.6–0.8 эВ отслеживает изменение толщины вставки InAs. Моделирование зонной структуры показало, что наблюдаемое изменение энергии оптических переходов связано с понижением энергии электронных и дырочных состояний в квантовой яме при увеличении толщины вставки. В диапазоне энергий фотонов 1.24–1.38 эВ обнаружены оптические переходы от области интерфейса “буфер InAlAs-подложка InP”. Энергия и интенсивность сигнала зависят от особенностей формирования данной гетерограницы и условий отжига подложки. Предполагается, что это связано с образованием переходной области между буфером InAlAs и подложкой.

Поступила в редакцию: 20.06.2014
Принята в печать: 01.07.2014