Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/InGaAs/GaAs $p$HEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2,страницы 230

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/InGaAs/GaAs $p$HEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров

Д. В. Гуляев^a, К. С. Журавлев^ab, А. К. Бакаров^ab, А. И. Торопов^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский национальный исследовательский государственный университет

Аннотация: Изучена фотолюминесценция AlGaAs/InGaAs/GaAs $p$HEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием AlGaAs-барьеров. Обнаружено, что введение в конструкцию дополнительных $p^+$ легированных слоев AlGaAs приводит к появлению новых полос в спектрах фотолюминесценции. Данные полосы идентифицированы как переходы между: 1) донорно-акцепторными парами в легированных AlGaAs-слоях и 2) подзоной проводимости и акцепторным уровнем в нелегированной яме InGaAs.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 09.06.2014