RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2, страницы 219–229 (Mi phts7214)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения

Н. П. Клочкоa, Е. С. Клепиковаa, Г. С. Хрипуновa, Н. Д. Волковаb, В. Р. Копачa, В. Н. Любовa, М. В. Кириченкоa, А. В. Копачa

a Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"
b Национальный аэрокосмический университет им. Н. Е. Жуковского "Харьковский авиационный институт"

Аннотация: С целью создания антиотражающих покрытий для солнечных элементов исследованы условия импульсного электрохимического осаждения из водных электролитов наноструктурированных массивов оксида цинка с определенными морфологией, кристаллической структурой и оптическими свойствами на подложках из прозрачного электропроводного диоксида олова и на пластинах монокристаллического кремния со встроенными гомопереходами. Показана возможность получения планарных однослойных антиотражающих покрытий или массивов наностержней этого материала, как имеющих форму шестигранных призм, так и демонстрирующих эффект глаза ночной бабочки.

Поступила в редакцию: 08.04.2014
Принята в печать: 28.04.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:2, 214–223

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026