В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, “Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2,страницы 175

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge

В. Я. Алешкин^ab, Н. В. Дикарева^c, А. А. Дубинов^ab, Б. Н. Звонков^c, К. Е. Кудрявцев^ab, С. М. Некоркин^c

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: С использованием метода лазерного распыления выращена светодиодная структура на основе GaAs с 8 узкими квантовыми ямами Ge. Обнаружена линия электролюминесценции с преимущественно параллельной слоям структуры поляризацией, соответствующая прямым в импульсном пространстве оптическим переходам в квантовых ямах Ge.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 16.06.2014