RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2, страницы 160–162 (Mi phts7204)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире

Н. О. Кривулин, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, А. И. Бобров

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: В работе представлены результаты исследований кристаллической структуры наноразмерных островков кремния на сапфире. Показано, что основными дефектами в наноостровках кремния на сапфире являются дефекты двойникования. В результате формирования таких дефектов в островках кремния на сапфире формируются различные кристаллографические ориентации. На начальных стадиях молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на сапфире присутствуют две основные ориентации – (001) параллельно поверхности и (001) под углом 70$^\circ$ к поверхности.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 16.06.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:2, 154–156

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026