Эта публикация цитируется в 6 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Зарождение и рост упорядоченных групп квантовых точек SiGe

В. А. Зиновьев^ab, А. В. Двуреченский^ab, П. А. Кучинская^a, В. А. Армбристер^a, С. А. Тийс^a, А. А. Шкляев^ab, А. В. Мудрый<sup>c

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению

Аннотация: Развит подход к формированию упорядоченных групп наноостровков Ge (квантовых точек) при эпитаксии на поверхности гетероструктуры, представляющей собой подложку Si(100) с предварительно сформированными на ней затравками в виде нанодисков SiGe. Установлено, что наблюдаемое расположение квантовых точек в пределах группы обусловлено анизотропным характером распределения энергии упругой деформации на поверхности нанодиска SiGe, а именно существованием 4 локальных минимумов энергии, упорядоченно расположенных вдоль направлений типа [100] и [010] относительно центра затравки. На основе предложенного подхода выращены многослойные структуры с вертикально-совмещенными группами квантовых точек. Кристаллическая структура и элементный состав пространственно упорядоченных наноструктур исследовались с помощью методов просвечивающей электронной микроскопии, рентгеновской дифракции и спектроскопии комбинационного рассеяния света.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 16.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:2, 149–153

Реферативные базы данных:

•