Эта публикация цитируется в 3 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в $n$-GaAs, обусловленной остыванием электронов

В. Я. Алешкин^ab, С. В. Морозов^ab, В. В. Румянцев^ab, И. В. Тузов<sup>ab

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование временной зависимости примесной фотопроводимости в $n$-GaAs при импульсном оптическом возбуждении. Показано, что в первые 20 нс после фотовозбуждения изменение фотопроводимости определяется в основном процессами остывания электронов. Предложена теоретическая модель для описания наблюдаемых зависимостей.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 113–117

Реферативные базы данных:

•