Эта публикация цитируется в 7 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения

Б. Н. Звонков^a, О. В. Вихрова^a, М. В. Дорохин^ab, И. Л. Калентьева^ab, С. В. Морозов^bc, Д. И. Крыжков^bc, П. А. Юнин<sup>c

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Впервые экспериментально показана возможность применения метода лазерного осаждения для выращивания кристаллических, излучающих структур с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs. Температура выращивания слоев GaAs$_{1-x}$Sb$_x$ варьировалась в пределах 450–550$^\circ$C, содержание сурьмы, согласно рентгеноструктурным исследованиям, достигало $x_{\mathrm{Sb}}\approx$ 0.37 для температуры выращивания 450$^\circ$C. При этом низкотемпературные измерения спектроскопии фотолюминесценции (4 K) показали наличие пика от квантовой ямы GaAsSb/GaAs в области 1.3 мкм при минимальном уровне накачки лазерным излучением.
Определены оптимальные значения температуры выращивания $T_g$ = 500$^\circ$C и скорости потока арсина $P_A$ = 2.2 $\times$ 10$^{-8}$ моль/c для наблюдения наилучших излучательных свойств квантовых ям с $x_{\mathrm{Sb}}\sim$ 0.17–0.25 при температурах 77 и 300 K. Показано сопоставимое оптическое качество квантовых ям GaAsSb/GaAs с аналогичными параметрами (ширина и состав), выращенных методом лазерного осаждения при 500$^\circ$C и МОС-гидридной эпитаксией при 580$^\circ$C.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 109–112

Реферативные базы данных:

•