Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света

С. М. Планкина^a, О. В. Вихрова^b, Ю. А. Данилов^b, Б. Н. Звонков^b, И. Л. Калентьева^b, А. В. Нежданов^a, И. И. Чунин^a, П. А. Юнин<sup>c

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Представлены результаты комплексных исследований $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs, выращенных сочетанием МОС-гидридной эпитаксии и лазерного осаждения. Методом конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света показано, что $\delta$-легированные низкотемпературные покровные слои GaAs демонстрируют более высокое кристаллическое качество, чем однородно легированные. Обнаружено рассеяние света на связанной фонон-плазмонной моде, появление которой обусловлено диффузией марганца из $\delta$-слоя. Определена толщина покровного слоя $d_c\approx$ 9–20 нм, оптимальная для получения максимальных интенсивности фотолюминесценции квантовой ямы и слоевой концентрации дырок вследствие легирования марганцем.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 99–103

Реферативные базы данных:

•