Эта публикация цитируется в 7 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире

Д. А. Павлов, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: В структурах кремний на сапфире методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии обнаружено формирование монокристаллического гексагонального политипа кремния. Возникновение включений со структурой, отличной от структуры алмаза, связывается с образованием в кристаллической решетке кремния областей интенсивного двойникования и скоплений дефектов упаковки, формирующих собственную кристаллическую структуру. Проведенные исследования указывают на принадлежность данной модификации к политипу кремния $9R$.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 95–98

Реферативные базы данных:

•