Эта публикация цитируется в 4 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Особенности использования аммиачной и плазменной МЛЭ для получения III–N HEMT гетероструктур

А. Н. Алексеев^a, Д. М. Красовицкий^b, С. И. Петров^a, В. П. Чалый^b, В. В. Мамаев^bc, В. Г. Сидоров<sup>c

a</sup> ЗАО "Научное и технологическое оборудование", г. С.-Петербург
^b АО "Светлана – Рост", г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

Аннотация: Рассмотрены особенности получения нитридных HEMT гетероструктур методом аммиачной и плазменной МЛЭ. Показано, что использование высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN, выращенных при использовании аммиака и экстремально высокой температуре (до 1150$^\circ$C), позволяет кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев GaN и понизить плотность дислокаций в них до значений 9$\cdot$10$^8$–1$\cdot$10$^9$ см$^{-2}$. Использование таких буферных слоев позволяет получать гетероструктуры GaN/AlGaN высокого качества обоими методами. С другой стороны, в отличие от аммиачной МЛЭ, которую трудно использовать при $T<$ 500$^\circ$C (из-за низкой эффективности разложения аммиака), плазменная МЛЭ весьма эффективна при низких температурах, например, для выращивания слоев InAlN, согласованных по параметру решетки с GaN. Продемонстрированы результаты выращивания гетероструктур AlN/AlGaN/GaN/InAlN методом МЛЭ как с плазменной активацией азота, так и с использованием экстремально высокого потока аммиака.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 92–94

Реферативные базы данных:

•