Эта публикация цитируется в 7 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии

А. С. Пузанов^a, С. В. Оболенский^a, В. А. Козлов<sup>ab

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Теоретически исследован транспорт электронов в гетеробиполярных транзисторах с радиационными дефектами, в условиях, когда характерные размеры кластеров дефектов и расстояний между ними могут быть сопоставимы или даже превосходить размеры базы прибора. Показано, что при определенных уровнях воздействия нейтронное облучение может привести к уменьшению времени пролета базы горячими электронами, что замедляет деградацию параметров транзисторов.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 69–74

Реферативные базы данных:

•