Эта публикация цитируется в 1 статье

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs

С. В. Хазанова^a, В. Е. Дегтярев^a, Н. В. Малехонова^a, Д. А. Павлов^a, Н. В. Байдусь<sup>b

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведен комплексный анализ гетероструктур с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и энергодисперсионной спектрометрии получены реальные профили состава исследуемых структур. Проведено сравнение с профилем, полученным с помощью компьютерного моделирования. Путем совместного решения уравнений Шрёдингера и Пуассона рассчитаны энергетические состояния в квантово-размерной гетероструктуре исходного и реального профилей состава. Проведен подробный анализ влияния таких факторов, как ширина ям и барьера, степень фонового легирования. Таким образом, изучены оптические характеристики данных структур, влияние на них технологии роста и геометрии структуры. Данный подход позволяет уточнить истинную геометрию ям и барьеров, а также скорректировать параметры структуры и технологии роста для улучшения оптических характеристик.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 55–59

Реферативные базы данных:

•