Эта публикация цитируется в 5 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными слоями

С. В. Хазанова^a, В. Е. Дегтярев^a, С. В. Тихов^a, Н. В. Байдусь<sup>b

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследованы гетероструктуры InGaAs/GaAs, содержащие квантовые ямы и $\delta$-легированные слои. На основе процедуры самосогласованного решения уравнений Шрёдингера и Пуассона проведены численные расчеты дифференциальной емкости и эффективных профилей концентрации электронов в структурах с различным взаимным расположением квантовой ямы и $\delta$-слоя. Проведено сравнение расчетов с результатами анализа измеренных вольт-фарадных характеристик вышеуказанных структур. Выявлены закономерности поведения профилей наблюдаемой концентрации и вида вольт-фарадных характеристик в зависимости от геометрии структуры, температуры, степени легирования.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 50–54

Реферативные базы данных:

•