XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Непрямые в реальном и импульсном пространстве диполярные экситоны в гетероструктуре GaAs/AlAs

А. В. Горбунов, В. Б. Тимофеев

Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: В диоде Шоттки со структурой из двух узких гетерослоев, GaAs (3.5 нм) и AlAs (5 нм), исследованы в перпендикулярном магнитном поле, в геометрии Фарадея, фотолюминесцентные свойства долгоживущих диполярных экситонов, непрямых не только в реальном, но и в импульсном пространстве. С помощью внешнего перпендикулярного электрического поля удается увеличивать времена жизни таких экситонов до $\sim$ 1 мкс. Тем не менее, экситонная спиновая подсистема остается неравновесной – время спиновой релаксации экситона оказывается еще длиннее. Степень циркулярной поляризации достигает 80% в поле 6 Тл. С помощью электрического поля можно управлять как ее величиной, так и знаком.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 44–49

Реферативные базы данных:

•