RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 41–46 (Mi phts7181)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Энергетический спектр и транспорт в узких квантовых ямах HgTe

А. В. Германенко, Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов


Аннотация: Приводятся результаты экспериментального исследования явлений переноса и электронного и дырочного энергетического спектра двумерных систем в квантовой яме бесщелевого полупроводника HgTe с нормальным расположением подзон размерного квантования. Анализ экспериментальных данных позволил нам реконструировать энергетический спектр носителей заряда вблизи экстремумов дырочной и электронной подзон. Интерпретация полученных результатов проведена с использованием стандартной kP модели.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 39–43

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026