Эта публикация цитируется в 19 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке

Д. А. Фирсов^a, Л. Е. Воробьев^a, В. Ю. Паневин^a, А. Н. Софронов^a, Р. М. Балагула^a, И. С. Махов^a, Д. В. Козлов^bc, А. П. Васильев<sup>d

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано излучение терагерцового спектрального диапазона из структур с легированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в условиях межзонного оптического возбуждения электронно-дырочных пар в структурах $n$-типа и при примесном пробое в продольном электрическом поле в структурах $p$-типа. Получены спектры излучения. Излучение наблюдается при низких температурах, показано, что оно определяется оптическими переходами между состояниями примеси и переходами между зонными и примесными состояниями. При оптической межзонной накачке опустошение примесных состояний осуществляется благодаря рекомбинации электронно-дырочных пар с участием примеси, в электрическом поле примесные состояния опустошаются благодаря ударной ионизации.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 28–32

Реферативные базы данных:

•