XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)

Ю. Н. Дроздов^a, М. Н. Дроздов^a, П. А. Юнин^ab, Д. В. Юрасов^ab, М. В. Шалеев^a, А. В. Новиков<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии показано, что релаксация упругих напряжений в слоях GeSi происходит более эффективно на подложках (115)Si, чем на (001)Si. Сделано предположение, что это связано с преимущественной работой одной из плоскостей скольжения типа (111) на срезе (115). На атомно-силовом изображении поверхности GeSi/Si(115) видны однонаправленные линии скольжения в отличие от GeSi/Si(001), где присутствует сетка ортогональных линий и дефекты в местах их пересечения. В результате толстые слои GeSi на (115) имеют пониженную шероховатость поверхности. Описан метод расчета параметров релаксации слоя на подложке (115) по рентгенодифракционным данным.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 19–22

Реферативные базы данных:

•