Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb

Н. В. Дикарева^a, О. В. Вихрова^a, Б. Н. Звонков^a, Н. В. Малехонова^b, С. М. Некоркин^a, А. В. Пирогов^b, Д. А. Павлов<sup>b

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении были изготовлены гетероструктуры, содержащие одиночные квантовые ямы GaAsSb/GaAs и двухслойные квантовые ямы GaAsSb/InGaAs. Температура выращивания квантово-размерных слоев составляла 560–570$^\circ$C. Структурное совершенство образцов и качество гетерограниц квантовых ям исследовались методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии на поперечном срезе. Излучающие свойства гетероструктур изучались посредством фотолюминесценции. Структуры подвергались термическому воздействию, условия которого были выбраны в соответствии с температурой и временем выращивания верхнего ограничивающего слоя InGaP $p$-типа в процессе формирования лазерных структур GaAs/InGaP с активной областью, содержащей квантово-размерные слои GaAsSb. Обнаружено, что подобное температурное воздействие значительным образом может влиять на излучательные свойства активной области только в случае формирования двухслойной квантовой ямы GaAsSb/InGaAs.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 9–12

Реферативные базы данных:

•