Эта публикация цитируется в 6 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN

В. В. Чалдышев, А. С. Большаков, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, М. А. Яговкина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложены, реализованы и исследованы оптические решетки экситонов в периодических системах квантовых ям InGaN с барьерами GaN. Вследствие коллективного взаимодействия квазидвумерных экситонов со светом и достаточно большой энергии связи экситонов в GaN нам удалось наблюдать существенное усиление брэгговского оптического отражения при комнатной температуре. Для увеличения резонансного оптического отклика системы нами был разработан и реализован новый дизайн структур с двумя квантовыми ямами в периодической сверхъячейке. Для структур с 60 периодами получено резонансное отражение величиной 40% при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 4–8

Реферативные базы данных:

•