Физика полупроводниковых приборов

Влияние уровня легирования эмиттерных областей на динамику включения низковольтных GaAs-динисторов

К. С. Жидяев, А. Б. Чигинева, Н. В. Байдусь, И. В. Самарцев, А. В. Кудрин

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Изготовлены и экспериментально исследованы GaAs-динисторы с полосковой геометрией мез. Показано, что увеличение уровня легирования $n$- и $p$-эмиттеров приводит к уменьшению времени включения GaAs-динисторов и повышению эффективности их работы при генерации импульсов тока наносекундного диапазона, а именно к увеличению амплитуды и скорости нарастания тока и уменьшению времени нарастания фронта.

Ключевые слова: тиристор, динистор, арсенид галлия, динамика включения, импульс тока.

Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 16.04.2025
Принята в печать: 17.04.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.01.60500.7741