Физика полупроводниковых приборов

4H-SiC-фотодиоды с микронаноструктурированной поверхностью приемной области

А. В. Афанасьев^a, В. В. Забродский^b, В. А. Ильин^a, А. В. Серков^a, В. В. Трушлякова^a, Д. А. Чигирев<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследована возможность применения метода реактивного ионно-плазменного травления для формирования широкополосных антиотражающих структур на поверхности фотоприемных областей $p^+$–$n$–$n^+$-фотодиодов на основе 4H-SiC. Показано, что в процессе травления при использовании алюминиевых масок с толщинами $\sim$ 50 нм наряду с утончением верхнего $p^+$-эпислоя на его поверхности за счет эффекта микромаскирования SiC формируется самоупорядоченная профилированная структура с доминирующим острийным рельефом 600–800 нм. Ее наличие позволяет повысить внешний квантовый выход 4H-SiC-фотодиодов.

Ключевые слова: 4H-SiC, $p^+$–$n$–$n^+$-фотодиод, УФ диапазон, микропрофилирование, реактивное ионно-плазменное травление – РИПТ, Al-маска, чувствительность, внешний квантовый выход – ВКВ.

Поступила в редакцию: 20.02.2025
Исправленный вариант: 14.04.2025
Принята в печать: 17.04.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.01.60499.7633