Аннотация:
Проведены измерения спектров излучения InGaN/GaN-светодиодов с квантовыми ямами для токов инжекции от 1 мкА до 55 мА. Проведен анализ зависимости параметров спектра излучения от величины тока с применением модели, когда процесс инжекции электронов в область квантовой ямы рассматривался как неравновесный стационарный процесс. Моделированием определено, что уменьшение квантового выхода при больших токах связано с уменьшением времени жизни носителей тока за счет увеличения температуры в области $p$–$n$-перехода за счет джоулева тепла. Температура в области $p$–$n$-перехода была оценена по ширине спектра излучения моделированием вольт-амперной характеристики, по наклону коротковолнового крыла спектра излучения и измерением спектров люминесценции ионов Cr$^{3+}$ сапфировой подложки. При температуре окружающей среды 23$^\circ$C при пропускании тока 55 мА температура в области квантовой ямы оценена равной 97$^\circ$C, в области $p$–$n$-перехода – 60$^\circ$C, сапфировой подложки – 45$^\circ$C. Моделированием показано, что измерением зависимости сдвига максимума спектра излучения от величины тока можно определить важнейшие параметры InGaN/GaN-структуры с квантовыми ямами.
Поступила в редакцию: 23.12.2024 Исправленный вариант: 09.03.2025 Принята в печать: 17.04.2025
Полный текст:
PDF файл (189 kB)