Физика полупроводниковых приборов

Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки

А. В. Бабичев^a, Н. Ю. Харин^b, Е. С. Колодезный^a, Д. С. Папылев^a, Г. В. Вознюк^c, М. И. Митрофанов^cd, А. Г. Гладышев^a, С. О. Слипченко^c, А. В. Лютецкий^c, В. П. Евтихиев^c, В. Ю. Паневин^b, Л. Я. Карачинский^a, И. И. Новиков^a, Н. А. Пихтин^c, А. Ю. Егоров<sup>a

a</sup> Национальный исследовательский университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с селективным кольцевым резонатором радиуса 284 мкм. Использование дифракционной решетки с переменной глубиной травления (вплоть до 4.6 мкм) позволило реализовать одночастотный режим генерации на длине волны 7.42 и 7.66 мкм при температурах 85 и 293 K. Максимальный коэффициент подавления боковых мод составил 23 дБ при температуре 293 K. Характеристическая температура $T_0$ равнялась 166 K.

Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, одночастотная генерация, фосфид индия, метод прямой ионной литографии, дифракционная решетка.

Поступила в редакцию: 17.03.2025
Исправленный вариант: 31.03.2025
Принята в печать: 10.04.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.01.60496.7698