Физика полупроводниковых приборов

Дисперсионный транспорт дырочных поляронов в МОП-структурах после ионизирующего излучения

О. В. Александров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Показано, что описание дисперсионного транспорта дырочных поляронов на основе модели многократного захвата позволяет количественно описать кинетику накопления и релаксации объемного заряда в МОП-структурах после ионизирующего облучения при низких (80–293 K) температурах. Проведено моделирование временны́х зависимостей порогового напряжения от температуры, напряженности электрического поля и толщины подзатворного оксида кремния. Показано, что кинетика релаксации объемного заряда определяется прыжковым транспортом дырочных поляронов с уровнями локализованных состояний в диапазоне 0.08–0.55 эВ, концентрацией поляронных состояний, влиянием напряженности электрического поля на среднюю энергию поляронов, а также зависимостью параметра дисперсионности $\alpha$ от толщины подзатворного оксида. Проведена оценка поляронного радиуса.

Ключевые слова: МОП-структура, ионизирующее облучение, дисперсионный транспорт, поляроны, моделирование.

Поступила в редакцию: 20.07.2022
Исправленный вариант: 22.11.2022
Принята в печать: 18.12.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.12.54516.3947

Реферативные базы данных:

•