Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Связь длины волны и усиления в лазерах на квантовых ямах, точках и яма-точках

Г. О. Корнышов^a, Н. Ю. Гордеев^b, Ю. М. Шерняков^b, А. А. Бекман^b, А. С. Паюсов^b, С. А. Минтаиров^b, Н. А. Калюжный^b, М. В. Максимов<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлено систематическое исследование серии InGaAs/GaAs-лазеров оптического диапазона 1–1.3 мкм на квантовых ямах (2D), точках (0D) и яма-точках (0D/2D), которые являются наноструктурами переходной размерности. В широком диапазоне токов накачки измерена и проанализирована зависимость длины волны лазерной генерации от постоянной усиления слоя, параметра, позволяющего сравнивать лазеры с различным типом активной области и различным дизайном волновода. Показано, что максимальное оптическое усиление квантовых яма-точек существенно выше, а диапазон значений длин волн генерации, достижимых в торцевых лазерах без использования внешнего резонатора, шире, чем в лазерах на квантовых ямах и квантовых точках.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, квантовая яма, квантовые точки, квантовые яма-точки, оптическое усиление.

Поступила в редакцию: 02.12.2022
Исправленный вариант: 07.12.2022
Принята в печать: 07.12.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.12.54514.4408

Реферативные базы данных:

•