Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Особенности в поведении температурных зависимостей магнитной восприимчивости кристаллов твердых растворов Bi$_2$Te$_3$–Sb$_2$Te$_3$, содержащих от 25 до 70% теллурида сурьмы

Н. П. Степанов^a, М. С. Иванов<sup>b

a</sup> Забайкальский государственный университет, 672036 Чита, Россия
^b Забайкальский институт железнодорожного транспорта, 672040 Чита, Россия

Аннотация: Исследованы температурные зависимости магнитной восприимчивости кристаллов твердых растворов Bi$_2$Te$_3$–Sb$_2$Te$_3$ $p$-типа проводимости, содержащих от 25 до 70 мол% теллурида сурьмы в диапазоне от 2 до 400 K. Обнаружена корреляция между особенностями, наблюдающимися в поведении температурных зависимостей магнитной восприимчивости кристаллов, содержащих 60 и 70 мол% Sb$_2$Te$_3$, и величиной отношения энергии плазмона к энергии зазора между уровнем химического потенциала и подзоной тяжелых дырок. Сформулировано предположение, что в случае сближения указанных энергий усиливающееся электрон-плазмонное взаимодействие влияет на состояние электронной системы, и, таким образом, на величину магнитной восприимчивости.

Ключевые слова: теллуриды висмута и сурьмы, магнитная восприимчивость, плазмон, межзонные переходы, электрон-плазмонное взаимодействие.

Поступила в редакцию: 23.10.2022
Исправленный вариант: 17.11.2022
Принята в печать: 22.12.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.12.54508.4243

Реферативные базы данных:

•