Физика полупроводниковых приборов

Влияние многослойного полевого электрода на степень выраженности эффекта квазинасыщения вольт-амперных характеристик мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов

Р. П. Алексеев, П. Л. Куршев, А. Н. Цоцорин

АО "Научно-исследовательский институт электронной техники", 394033 Воронеж, Россия

Аннотация: Проведено моделирование Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors-транзисторных структур с двух- и трехслойным полевым электродом. На обеих структурах была оценена степень выраженности эффекта квазинасыщения выходных вольт-амперных характеристик. Показано, что новая конструкция трехслойного полевого электрода позволяет существенно ослабить эффект квазинасыщения.

Ключевые слова: мощные СВЧ транзисторы, LDMOS-технология, квазинасыщение вольт-амперной характеристики.

Поступила в редакцию: 10.10.2022
Исправленный вариант: 08.11.2022
Принята в печать: 08.11.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.11.54260.9975

Реферативные базы данных:

•