Обзоры

Комплексы вакансия галлия – мелкий донор в $n$-$\mathrm{GaAs}$, легированном элементами $\mathrm{VI}$ группы $\mathrm{Te}$ или $\mathrm{S}$

А. А. Гуткин, Н. С. Аверкиев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрены результаты исследований комплексов вакансия $\mathrm{Ga}({V_\mathrm{Ga}})$ – мелкий донор (атом $\mathrm{Te}$ или $\mathrm{S}$, замещающий атом $\mathrm{As}$ в ближайшем к вакансии узле решетки) методами фотолюминесценции при резонансном поляризованном возбуждении и пьезоспектроскопии. Анализ экспериментальных данных в классическом дипольном приближении показывает, что симметрия комплексов ниже тригональной и их оптические свойства объясняются в модели моноклинного дефекта, имеющего плоскость симметрии типа $\{$011$\}$, в которой лежит исходная тригональная ось и ось оптического диполя. Причиной понижения симметрии исходно тригонального центра являются дисторсии, возникающие из-за эффекта Яна–Теллера. Предложена микроскопическая модель, связывающая особенности поведения оптических свойств комплекса $V_{\mathrm{Ga}}\mathrm{Te}_{\mathrm{As}}$ при одноосных деформациях и изменении температуры с особенностями структуры электронных уровней и изменением зарядового состояния комплекса. Различия в этом поведении, наблюдавшиеся для комплекса $V_{\mathrm{Ga}}\mathrm{S}_{\mathrm{As}}$, анализируются и возможные причины их появления обсуждаются.

Ключевые слова: вакансионные комплексы в $\mathrm{GaAs}$, эффект Яна–Теллера, фотолюминесценция при резонансном возбуждении, пьезоспектроскопия.

Поступила в редакцию: 06.09.2022
Исправленный вариант: 26.10.2022
Принята в печать: 26.10.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.11.54253.9957

Реферативные базы данных:

•