Физика полупроводниковых приборов

Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

А. В. Бабичев^a, Е. В. Пирогов^b, М. С. Соболев^b, Д. В. Денисов^b, Н. А. Фоминых^bc, А. И. Баранов^b, А. С. Гудовских^b, И. А. Мельниченко^bc, П. А. Юнин^d, В. Н. Неведомский^e, М. В. Токарев^e, Б. Я. Бер^e, А. Г. Гладышев^a, Л. Я. Карачинский^a, И. И. Новиков^a, А. Ю. Егоров<sup>b

a</sup> Национальный исследовательский университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190121 Санкт-Петербург, Россия
^d Институт физики микроструктур РАН, 03950 Нижний Новгород, Россия
^e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии слоев InAs в слои GaAsN. Представлены результаты исследования спектров фотолюминесценции, а также электролюминесценции при различных уровнях накачки. Продемонстрирована эффективная электролюминесценция вблизи 1150 нм с характерной полной шириной линии, измеренной на полувысоте $\sim$90 мэВ.

Ключевые слова: сверхрешетки, молекулярно-пучковая эпитаксия, арсенид галлия, разбавленный нитрид, GaAsN, InAs.

Поступила в редакцию: 23.08.2022
Исправленный вариант: 26.09.2022
Принята в печать: 26.09.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53963.9951

Реферативные базы данных:

•