Физика полупроводниковых приборов

Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов

А. В. Афанасьев^a, В. В. Забродский^b, В. А. Ильин^a, В. В. Лучинин^a, А. В. Николаев^b, А. В. Серков^a, В. В. Трушлякова^a, Д. А. Чигирев<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследована возможность повышения чувствительности 4H-SiC $p^+$–$n$–$n^+$-фотодиодов путем варьирования толщины $p^+$-приемной области методом реактивного ионно-плазменного травления. Показано, что утонение верхнего эпислоя мезаэпитаксиального фотодиода этим методом с использованием в качестве маски металла контактов позволяет управлять как максимальной чувствительностью, так и спектральной зависимостью чувствительности фотодиодов. При этом не наблюдается заметного ухудшения темновых электрических характеристик.

Ключевые слова: 4H-SiC, $p^+$–$n$–$n^+$-фотодиод, УФ-диапазон, $p^+$-слой, РИПТ, чувствительность.

Поступила в редакцию: 30.06.2022
Исправленный вариант: 03.08.2022
Принята в печать: 12.08.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53962.9926

Реферативные базы данных:

•