Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства

М. О. Петрушков^a, М. А. Путято^a, А. В. Васев^a, Д. С. Абрамкин^ab, Е. А. Емельянов^a, И. Д. Лошкарев^a, О. С. Комков^c, Д. Д. Фирсов^c, В. В. Преображенский<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пленки GaSb на подложках Si(001), отклоненных на 6$^\circ$ к плоскости (111). Пленки формировались на переходных слоях AlSb(001)/Al/As/Si, AlSb$(00\bar1)$/Al/As/Si, GaSb(001)/Ga/P/Si и GaSb$(00\bar1)$/P/Ga/Si. Исследовано влияние ориентации, состава и условий формирования переходных слоев на кристаллическое совершенство и оптические свойства пленок GaSb. Лучшими структурными и оптическими свойствами обладает пленка GaSb, выращенная на переходном слое GaSb(001)/Ga/P/Si(001).

Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaSb на Si(001), кристаллографическая ориентация пленки, переходные слои, антифазные домены, кристаллическое совершенство.

Поступила в редакцию: 06.09.2022
Исправленный вариант: 13.09.2022
Принята в печать: 13.09.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53960.9954

Реферативные базы данных:

•