Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Изменение электронной структуры поверхности GaN/Si(111) при адсорбции Li

С. Н. Тимошнев^a, Г. В. Бенеманская^b, А. М. Мизеров^a, М. С. Соболев^a, Я. Б. Эннс<sup>a

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены исследования электронной структуры эпитаксиальных слоев GaN/Si(111) и границы раздела Li/GaN/Si(111) при монослойном покрытии Li in situ в условиях сверхвысокого вакуума. Эксперименты проводились с использованием фотоэлектронной спектроскопии при синхротронном излучении в диапазоне энергий фотонов 75–850 эВ. Исследованы фотоэмиссионные спектры валентной зоны и остовных уровней Ga $3d$, N $1s$ при монослойном покрытии Li. Обнаружено, что адсорбция Li вызывает существенный спад интенсивности фотоэмиссионной линии собственного поверхностного состояния и возникновение индуцированного поверхностного состояния за счет переноса заряда между адсорбированным слоем Li и поверхностными атомами Ga. Установлено, что поверхность GaN/Si(111) имеет преимущественно Ga-полярность. Граница раздела Li/GaN/Si(111) имеет полупроводниковый характер.

Ключевые слова: III-нитриды, электронная структура, граница раздела металл-GaN, фотоэлектронная спектроскопия.

Поступила в редакцию: 31.05.2022
Исправленный вариант: 29.07.2022
Принята в печать: 24.10.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53956.9904

Реферативные базы данных:

•