Физика полупроводниковых приборов

Фотодиоды на основе структур Ga$_2$O$_3$/$n$-GaAs, способные работать в автономном режиме

В. М. Калыгина, О. С. Киселева, Б. О. Кушнарев, В. Л. Олейник, Ю. С. Петрова, А. В. Цымбалов

Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия

Аннотация: Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga$_2$O$_3$/$n$-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои $n$-GaAs с концентрацией $N_d$ = 9.5 $\cdot$ 10$^{14}$ cм$^{-3}$. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 10$^6$ Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости описываются кривыми, характерными для структур металл–диэлектрик–полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с $\lambda$ = 254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с $\lambda$ = 254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga$_2$O$_3$/GaAs и в объеме оксидной пленки.

Ключевые слова: МДП-структуры, вольт-фарадные характеристики, вольт-сименсные характеристики, фототок, плотность ловушек.

Поступила в редакцию: 18.04.2022
Исправленный вариант: 28.07.2022
Принята в печать: 28.07.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53417.9868

Реферативные базы данных:

•