RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 9, страницы 904–907 (Mi phts7123)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией, сформированные с участием кислородных преципитатов

Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы кремниевые светодиоды с дислокационной электролюминесценцией при комнатной температуре. При изготовлении светодиодных структур хорошо известный метод формирования центров дислокационной люминесценции в процессе отжигов кремния с высокой концентрацией кислорода в потоке аргона был модифицирован путем введения предварительной имплантации ионов O$^+$ и проведения заключительного отжига в хлорсодержащей атмосфере. В спектрах электролюминесценции при токах $<$ 150 мА доминирует D1 линия дислокационной люминесценции, при увеличении тока начинает доминировать линия краевой люминесценции. Эффективность возбуждения электролюминесценции D1 центра при комнатной температуре равна 3.3$\cdot$10$^{-20}$ см$^2$ $\cdot$ с.

Ключевые слова: светодиоды, дислокационная люминесценция, кремний, кислородные преципитаты.

Поступила в редакцию: 15.06.2022
Исправленный вариант: 30.06.2022
Принята в печать: 30.06.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53413.9917


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2023, 57:7, 343–346

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026