Аннотация:
Показано, что изменение величины удельного сопротивления кристаллов твердых растворов (Bi$_{2-x}$Sb$_x$)Te$_3$ (0 $<x<$ 2) $p$-типа в области температур, предшествующих наступлению собственной проводимости, обусловлено не только изменением статического времени релаксации, поведение которого в диапазоне температур от 80 до 300 K определяется в основном рассеянием носителей на колебаниях кристаллической решетки, но и изменением концентрации легких дырок. Последнее является следствием перехода носителей заряда из подзоны тяжелых дырок в подзону легких, в результате чего концентрация легких дырок, дающих основной вклад в электропроводность, уменьшается с ростом температуры. Как следствие, энергия плазмона, пропорциональная концентрации носителей заряда, также уменьшается с ростом температуры, а энергия указанного перехода, сопоставимая с энергией плазмона, увеличивается. В связи с этим кристаллы (Bi$_{2-x}$Sb$_x$)Te$_3$ обладают специфической особенностью, обусловленной сближением энергии плазмона и межзонного перехода, что создает условия для увеличения интенсивности электрон-плазмонного взаимодействия.
Полный текст:
PDF файл (247 kB)