Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Пленки фторида кальция толщиной 2–10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса

А. Г. Банщиков, М. И. Векслер, И. А. Иванов, Ю. Ю. Илларионов, Н. С. Соколов, С. М. Сутурин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Получены эпитаксиальные слои фторида кальция (CaF$_2$) с номинальной толщиной до 10 нм на кремнии ориентации (111). Записана топография поверхности пленок фторида, изучены вольт-амперные характеристики структур Au/CaF$_2$/Si. Такие структуры, на качественном уровне, демонстрировали все особенности, присущие системам металл–диэлектрик–полупроводник. Вольт-амперные кривые образцов были воспроизведены моделированием с учетом конечного (0.1–1 нм) значения стандартной девиации толщины диэлектрической пленки CaF$_2$.

Ключевые слова: фторид кальция, тонкие пленки, МДП-структура, ток утечки.

Поступила в редакцию: 12.05.2022
Исправленный вариант: 30.06.2022
Принята в печать: 30.06.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53410.9885

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2023, 57:4, 211–215

Реферативные базы данных:

•