Эта публикация цитируется в 1 статье

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением

А. А. Семакова^a, М. С. Ружевич^b, В. В. Романов^a, Н. Л. Баженов^a, К. Д. Мынбаев^ab, К. Д. Моисеев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы электролюминесцентные характеристики асимметричных светодиодных гетероструктур InAs/InAs$_{1-y}$Sb$_y$/InAsSbP с высокой мольной долей InSb в активной области ($y>$ 0.09) в диапазоне температур 4.2–300 K. При низких температурах ($T<$ 30 K) было достигнуто стимулированное излучение в диапазоне длин волн 4.1–4.2 мкм. Было установлено, что спектры электролюминесценции формировались в результате суперпозиции вкладов различных каналов излучательной рекомбинации носителей заряда вблизи гетерограницы II типа. Рассмотрено влияние качества гетероперехода II типа InAsSb/InAsSbP при увеличении содержания InSb в тройном твердом растворе на излучательные интерфейсные переходы.

Ключевые слова: гетеропереходы, InAs, антимониды, электролюминесценция, светодиоды.

Поступила в редакцию: 29.06.2022
Исправленный вариант: 06.07.2022
Принята в печать: 04.08.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53408.9925

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2023, 57:5, 263–267

Реферативные базы данных:

•