RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 9, страницы 862–865 (Mi phts7116)

Электронные свойства полупроводников

Термоэлектрические свойства твердых растворов Ag$_8$Ge$_{1-x}$Mn$_x$Te$_6$

Р. Н. Рагимовa, А. С. Кахрамановаa, Д. Г. Араслыa, А. А. Халиловаa, И. Х. Мамедовb, А. Р. Халилзадеc

a Институт физики НАН Азербайджана, AZ1143 Баку, Азербайджан
b Национальная академия авиации Азербайджана, AZ1045 Баку, Бина, Азербайджан
c University of Waterloo, 200 University Ave W, Waterloo, ON N2L 3G1, Canada

Аннотация: Твердые растворы Ag$_8$Ge$_{1-x}$Mn$_x$Te$_6$ с различным содержанием марганца ($x$ = 0, 0.05, 0.1, 0.2) были изготовлены сплавлением и дальнейшим прессованием порошков под давлением 0.6 ГПа. Методом рентгеновской дифракции показано, что введение атомов марганца приводит к сжимаемости решетки Ag$_8$GeTe$_6$. Все образцы $p$-типа имели высокое сопротивление ниже перехода при температурах 180–220 K. Увеличение электропроводности в диапазоне 220–300 K было проанализировано по соотношению Мотта, при температурах $T>$ 320 K во всех составах наблюдается полупроводниковый характер. Наибольшее значение термоэлектрической эффективности $ZT$ = 0.7 при температуре 550 K получено для твердого раствора состава Ag$_8$Ge$_{1-x}$Mn$_x$Te$_6$ ($x$ = 0.05).

Ключевые слова: твердые растворы Ag$_8$Ge$_{1-x}$Mn$_x$Te$_6$, термоэлектрическая эффективность, аморфизация, низкая теплопроводность.

Поступила в редакцию: 18.11.2021
Исправленный вариант: 18.01.2022
Принята в печать: 10.06.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53406.9760



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026