RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 9, страницы 858–861 (Mi phts7115)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Растворимость магния в кремнии

В. Б. Шуманa, А. А. Лаврентьевa, А. А. Яковлеваa, N. V. Abrosimovb, А. Н. Лодыгинa, Л. М. Порцельa, Ю. А. Астровa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, 12489 Berlin, Germany

Аннотация: Методом масс-спектроскопии вторичных ионов исследована растворимость в кремнии примеси магния, введенного путем диффузии в интервале температур 1100–1300$^\circ$С. Показано, что с учетом электрически неактивной компоненты примеси максимальная растворимость магния в кремнии на 1–2 порядка меньше, а коэффициент диффузии выше, чем опубликованные ранее данные.

Ключевые слова: кремний, легирование, примесь магния, растворимость.

Поступила в редакцию: 12.05.2022
Исправленный вариант: 22.06.2022
Принята в печать: 27.06.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53405.9883


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2023, 57:10, 465–468

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026