Эта публикация цитируется в 1 статье

XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Распределение концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Ge и GeSn, выращенных на $n^+$-Si(001)-подложках

А. М. Титова, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. А. Алябина, А. В. Здоровейщев, В. Г. Шенгуров

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Методом химического осаждения из газовой фазы, активированной “горячей нитью”, выращены гетероэпитаксиальные слои Ge или Ge$_{1-x}$Sn$_x$ на высоколегированных донорной примесью (As или Sb) подложках Si(001). Для сравнения такие же слои были выращены на высокоомных подложках Si(001). В тех и других слоях вольт-емкостным методом были измерены профили распределения концентрации носителей заряда по глубине слоев, а в последних слоях дополнительно методом эффекта Холла были измерены подвижности носителей заряда. Установлено, что слои, выращенные на высокоомных подложках, были $p$-типа проводимости, а слои, выращенные в тех же режимах на высоколегированных подложках, были $n$-типа с концентрацией электронов в слоях Ge $n$ = (4–9)$\cdot$10$^{16}$ см$^{-3}$, а в слоях GeSn $n$ = (2–4)$\cdot$10$^{17}$ cм$^{-3}$. Экспериментально и теоретически установлено, что эффект автолегирования слоев Ge и GeSn в методе химического осаждения из газовой фазы, активированной “горячей нитью”, отсутствует. По нашему мнению, формирование слоев Ge и GeSn $n$-типа проводимости при выращивании их на высоколегированных донорной примесью (As или Sb) подложках $n^+$-Si(001) связано с сегрегацией этой примеси при росте буфферного слоя Si и с последующим встраиванием ее в растущие слои Ge или GeSn.

Ключевые слова: эпитаксия, легирование, Ge, Si, Sn, концентрация.

Поступила в редакцию: 18.06.2022
Исправленный вариант: 25.06.2022
Принята в печать: 25.06.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53401.36

Реферативные базы данных:

•