XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения

И. В. Осинных^ab, И. А. Александров^a, Т. В. Малин^a, К. С. Журавлев<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены результаты расчетной и экспериментальной зависимостей интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения для легированных кремнием слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что анализ зависимости интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения с помощью модели электронных переходов в GaN при межзонной генерации электронно-дырочных пар позволяет определить механизм рекомбинации и концентрации доноров и акцепторов в полупроводнике.

Ключевые слова: GaN, аммиачная МЛЭ, фотолюминесценция, гетероструктуры, точечные дефекты.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53148.34

Реферативные базы данных:

•