XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Исследование кристаллического состояния слоев молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs методом генерации второй гармоники

С. А. Дворецкий^ab, М. Ф. Ступак^c, Н. Н. Михайлов^ad, С. Н. Макаров^c, А. Г. Елесин^c, А. Г. Верхогляд<sup>c

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Томский государственный университет (ТГУ), 634050 Томск, Россия
^c Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, 630058 Новосибирск, Россия
^d Томский государственный университет (ТГУ), 634050 Томск, Россия

Аннотация: Проведено исследование кристаллического совершенства слоев HgCdTe-гетероструктур, выращенных на подложках (013)GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe, поворота ориентации в плоскости (угол $\varphi$) и перпендикулярном направлении роста (угол $\theta$) методом генерации второй гармоники. Наблюдалось изменение угла $\varphi$ для слоев CdTe от ориентации подложки GaAs и его немонотонное изменение по толщине в слое КРТ постоянного состава и широкозонных варизонных слоях на его границах. Наблюдалось увеличение угла $\theta$ при выращивании верхнего варизонного широкозонного слоя КРТ. Абсолютное значение угла $\theta$ может быть использовано для качественной оценки кристаллического совершенства слоев HgCdTe.

Ключевые слова: кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, кристаллическое совершенство, гетероструктуры Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53145.31

Реферативные базы данных:

•