RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 8, страницы 774–779 (Mi phts7100)

XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Степень поляризации комбинационного рассеяния света в нанокристаллах кремния

А. В. Иго

Ульяновский государственный университет, 432063 Ульяновск, Россия

Аннотация: Исследовано комбинационное рассеяние света на массиве ориентированных нанокристаллов кремния. Измерялась угловая зависимость интенсивности поляризованных компонент комбинационного рассеяния света и определялся параметр степени поляризации рассеянного света. Обнаружено, что степень поляризации комбинационного рассеяния света связана с размером нанокристаллов в образцах. Массив нанокристаллов имеющих одинаковую кристаллографическую ориентацию получали термическим отжигом нарушенного ионной имплантацией монокристалла кремния. При термическом отжиге образца кристалличность слоя восстанавливается не одновременно во всем нарушенном объеме, а в виде нанокристаллов, разделенных аморфными промежутками, и образованные нанокристаллы имеют преимущественно кристаллографическую ориентацию исходного монокристалла. Особенности степени поляризации комбинационного рассеяния света в нанокристаллах связаны с квантово-механической неопределенностью величины волнового вектора фонона и неопределенностью направления фонона в ограниченном объеме нанокристалла. Получены соотношения, связывающие степень поляризации комбинационного рассеяния света с размером нанокристаллов. Обсуждается возможность определения размеров нанокристаллов по измерениям степени поляризации комбинационного рассеяния света как независимого метода.

Ключевые слова: комбинационное рассеяние света, кремний, нанокристаллы, ионная имплантация, отжиг, аморфная фаза.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53144.30



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026