XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Исследование влияния дозы ионно-лучевой обработки поверхности Si(111) на процессы роста нитевидных нанокристаллов GaAs

Н. А. Шандыба, Н. Е. Черненко, С. В. Балакирев, М. М. Еременко, Д. В. Кириченко, М. С. Солодовник

Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, 347922 Таганрог, Россия

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований влияния дозы ионов Ga$^+$ при ионно-лучевой обработке поверхности Si(111) методом фокусированных ионных пучков на процессы эпитаксиального роста нитевидных нанокристаллов GaAs. Выявлены существенные различия между параметрами массивов нитевидных нанокристаллов, сформированных на модифицированных и немодифицированных таким образом участках подложки Si. Показано, что изменение дозы ионов Ga от 0.052 до 10.4 пКл/мкм$^2$ при ионно-лучевой обработке позволяет с высокой степенью локализации формировать массивы нитевидных нанокристаллов GaAs с различным набором параметров в едином технологическом цикле. Экспериментально установлены закономерности влияния дозы ионов Ga при модификации поверхности на ключевые характеристики нитевидных нанокристаллов GaAs: плотность, диаметр, длину и ориентацию относительно поверхности подложки.

Ключевые слова: фокусированный ионный пучок, нитевидные нанокристаллы, GaAs, молекулярно-лучевая эпитаксия.

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53141.27

Реферативные базы данных:

•